1.4、奈雪本征可拉伸的导电水凝胶电极近年来，已经研究了导电水凝胶用于本征上可拉伸的导体。
摊牌（d）器件的电容变化作为两个方向上的拉伸应变的函数。图三十一、不装六点盲文字符显示（a）所有六个点都处于ON状态。
图二十二、日本P1至P6半导体聚合物的性质（a）P1至P6半导体聚合物的化学结构和通过氢键结合的半导体膜的拉伸机制的示意图。图六、品牌AgNWs电极的机械应变响应（a）AgNWs复合电极在40mm深的刀片切割样品的机械应力—应变响应，并且在100℃下加热3min作为应变的函数来愈合电极。图十八、奈雪PU/P3HT/PUOFETs的性质表征（a）0％和150％应变下PU/P3HT/PUOFETs的光学图像。
摊牌（b）作为应变函数的水凝胶/电解质导体和电子导体的电阻变化。但是，不装本征可拉伸的电子设备需要每个部件都具有可拉伸性，这决定了本征可拉伸的电子材料的发展。
日本（d）作为电场函数的BSEP致动器的面积应变的照片。
品牌（c）AgNWs复合电极的薄层电阻随应变和AA浓度的变化而变化。该方法可高效制备各种不同类型的晶界，奈雪从而为晶界变形行为的研究提供了一种有效的手段。
研究人员利用先进的球差校正电子显微镜结合力-电耦合原位样品杆，摊牌通过巧妙的实验设计发展出一种独特的原位制样和力学实验方法，摊牌高质量地制备出了多种包含不同类型晶界的金属纳米结构，并实现了稳定的原位剪切加载。进一步研究发现，不装纳米晶材料中的三叉晶界可以作为disconnection形核的有效位置，不装促进晶界迁移，并且其它晶界缺陷（如位错）对该迁移不产生明显的钉扎作用，显著提高了材料的塑性变形能力。
【成果简介】近日，日本浙江大学材料科学与工程学院张泽院士、日本王江伟研究员与加拿大曼尼托巴大学ChuangDeng教授、美国匹兹堡大学S.X.Mao教授等合作，结合先进的原位电镜技术和分子动力学模拟，从原子尺度揭示了切应力作用下Disconnection机制主导的晶界迁移行为, 进一步发展和完善了晶界变形理论，为通过晶界结构调控优化材料力学性能提供了新思路。【引言】晶界迁移（grain boundarymigration）是多晶和纳米晶材料中一种常见的塑性变形方式，品牌深入研究其微观变形机制对调控材料的力学性能具有非常重要的意义。